中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教務(wù)處電話多少

更新：2023-09-16 16:12:39 高考升學(xué)網(wǎng)

一、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教務(wù)聯(lián)系電話

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教務(wù)處電話：63603427

二、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)相關(guān)新聞資訊

中國科大在低維光伏材料點缺陷性質(zhì)研究中取得新進展

銻基硫族化合物Sb2(S,Se)3具有穩(wěn)定性良好、不含稀有及劇毒元素、光電性質(zhì)優(yōu)異等特點，是一類理想的新型低成本光伏材料。由于該類材料獨特的準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu)和高消光系數(shù)，使其在柔性光伏、光伏建筑物一體化(Building-Integrated Photovoltaics, BIPV)、超輕、便攜電源等應(yīng)用領(lǐng)域中具有獨特的優(yōu)勢。作為一種新型光伏材料，對其基本性質(zhì)的理解是提升器件性能的基礎(chǔ)。

近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院陳濤教授課題組在硒硫化銻點缺陷性質(zhì)研究中取得進展。該團隊通過深能級瞬態(tài)譜技術(shù)探測溫度驅(qū)動的硒硫化銻點缺陷特性，再結(jié)合退火過程中材料組分變化，揭示其點缺陷的形成和演化機制。研究發(fā)現(xiàn)：初始水熱沉積導(dǎo)致高形成能點缺陷的形成，這是在水熱條件下驅(qū)動離子隨機沉積的結(jié)果；后退火及薄膜的結(jié)晶過程導(dǎo)致硫和硒陰離子的損失并產(chǎn)生空位缺陷（VS(e)）；由于陽離子/陰離子反位缺陷形成能較低，銻離子遷移并填充陰離子空位，最終形成SbS(e)反位缺陷（如下圖）。該缺陷演化機制為設(shè)計薄膜制備方法以抑制深能級點缺陷的形成提供了關(guān)鍵參考依據(jù)。相關(guān)成果以“Thermal-Driven Point Defect Transformation in Antimony Selenosulfide Photovoltaic Materials”為題發(fā)表于Advanced Materials。

陳濤教授課題組近年來致力于銻基光伏材料與器件方面的研發(fā)工作，2020年率先實現(xiàn)該類太陽能電池10%瓶頸效率突破(Nature Energy, 2020, 5, 587)，證實了該材料的開發(fā)價值。作為一種新型光伏材料，在深能級點缺陷性質(zhì)研究方面，該團隊相繼發(fā)現(xiàn)一系列有意義的現(xiàn)象。發(fā)現(xiàn)富S的硫化銻中存在的VSb和SSb缺陷與富Sb的硫化銻薄膜中存在的VS和SbS缺陷相比，后者捕獲截面大、缺陷密度高，陷阱能級更接近費米能級，會加劇載流子復(fù)合，從而揭示了富S的硫化銻光電性能優(yōu)異的原因（Nature Communication, 2021, 12 3260）。在硒硫化銻中，適當(dāng)?shù)脑黾游?硫比可以抑制缺陷的產(chǎn)生（Advanced Materials 2021, 33, 2006689），以及率先在實驗中觀測到硒化銻中兩性缺陷的存在（Advanced Science 2022, 9, 2105268）。這些研究結(jié)果拓展了對半導(dǎo)體材料深能級點缺陷的認識。

我�；瘜W(xué)與材料科學(xué)學(xué)院陳濤教授為該論文的通訊作者。合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家研究中心研究生車波和化學(xué)與材料科學(xué)學(xué)院博士生蔡志遠為該論文第一作者。本研究得到國家自然科學(xué)基金委、國家重點研發(fā)計劃、合肥綜合性國家科學(xué)中心能源研究院和合肥市大科學(xué)中心協(xié)同創(chuàng)新培育基金的資助。